上海微电子新一代光刻机亮相进博会：国产化率超90%

正在上海举行的第九届中国国际进口博览会上，上海微电子装备集团（SMEE）携自主研发的新一代前道干式扫描投影光刻机SSC800、SSB800模型亮相中国馆，集中展示国产前道光刻装备自主化的阶段性成果。这是国产前道光刻装备首次以通用技术平台的形式公开亮相：两款机型的关键零部件国产化率突破90%，已在国内主要逻辑与存储芯片量产线上累计流片超过1000万片。

两款机型，一条通用平台

本次展出的模型采用透明剖视设计，直观呈现整机光学光路与内部机电系统的链路布局。两款机型共享同一套国产标准化前道光刻装备架构，适配I-line、KrF两类主流技术路线，核心系统包括高精度物镜与照明系统、高速双工件台与掩模台、一体化自动物料传输系统、高精度对准调平传感系统，均实现全链条自主可控。

具体来看，SSC800系列采用KrF技术路线，面向110纳米及以上制程，应用覆盖人工智能与高性能计算、DRAM与NAND闪存、微处理器和Micro LED；SSB800系列采用I-line技术路线，面向280纳米及以上成熟制程，主要用于功率半导体、模拟芯片和MEMS等产品。两款机型均基于自研双工件台平台打造，搭载国产自主大数值孔径（NA）物镜。

性能方面，据SMEE介绍，国产前道干式光刻机的成像性能已与国际同类领先产品水平相当，套刻精度、生产效率等核心参数也在紧密追赶国际标杆，其中SSC800整体性能跻身全球行业第一梯队。两款机型已完成技术定型，进入规模化量产阶段。

千万片流片背后的量产验证

对半导体设备而言，展会模型只是起点，产线验证才是硬指标。SMEE披露，多台设备已在国内主要逻辑与存储芯片量产线上长期稳定运行，累计支持产线流片超过1000万片，设备有效运行率超过92%。

这一数据的意义在于，光刻机是半导体制造中技术壁垒最高的设备之一，客户一旦导入产线，替换成本极高。能够进入量产线并长期稳定运行，意味着设备在稳定性、良率和维护响应上通过了晶圆厂的实际考核，而不只是实验室指标。SMEE也借此确立了自己的定位：成立于2002年的SMEE，是国内唯一具备前道干式光刻机稳定量产交付能力的制造商，也是我国前道光刻装备自主供给体系的核心支撑主体。

为什么是现在：出口管制下的自主化窗口

这次亮相的时机并不偶然。美国及荷兰等盟友持续限制EUV及部分先进DUV光刻设备对华出口，2025年8月，美国商务部收紧了对华外资半导体生产设施的美国产设备与技术出口许可豁免，2026年又出台了新的半导体出口许可审查政策。在此背景下，前道光刻设备的国产化从产业课题变成了供应链安全课题。

值得注意的是，产业链的突破正在多个环节同步出现：上个月，中国企业朗道燧演发布了EUV光刻机核心零部件光源系统的原型机；SMEE早在2024年就已申请EUV光刻机相关专利。干法光刻与EUV属于不同技术赛道，但物镜、双工件台、对准调平传感等底层能力是相通的，成熟制程设备的量产经验正在为更先进制程的攻关积累工程能力。

冷静看待：三个现实不容忽视

首先需要说明的是，本次披露的性能数据与量产数字均为SMEE自行提供，未经第三方独立验证，成像性能“与国际领先产品相当”的说法仍需更多公开的产线数据支撑。

其次，干法光刻面向的是成熟制程，先进制程仍依赖浸没式DUV与EUV光刻机，110纳米与280纳米的工艺节点与最前沿逻辑制程之间仍存在明显代差。SMEE解决的是“有没有国产前道光刻机”的问题，而非“能不能造最先进芯片”的问题。

最后，从“能用”到“好用”仍需时间。光刻机的竞争力最终体现在长期运行的稳定性、产能利用率和售后服务网络上，92%的有效运行率是一个阶段性成绩，持续爬坡仍需产线长期验证。

影响与展望

即便如此，这次亮相的产业意义依然明确。110纳米与280纳米覆盖了功率半导体、模拟芯片、存储、汽车电子等大量现实需求，是国产芯片产能扩张的基础装备。关键零部件国产化率突破90%，意味着整机供应链受外部管制的掣肘大幅降低，国内晶圆厂在成熟制程扩产时多了一个可验证的国产选项。

对中国半导体设备产业而言，这次亮相的意义不在一台模型，而在于一条可复制、可量产的通用平台路线：一个平台兼容两条技术路线，核心部件自主可控，量产数据持续积累。下一阶段的看点，是SSC800与SSB800能否在更多晶圆厂的量产线上拿到重复订单，以及SMEE在浸没式DUV乃至EUV方向上的进展。成熟制程的自主化正在从“样机”走向“产线”，这条路走通之后，故事才真正开始。