长江存储武汉建第四厂：300层闪存国产设备冲70%
路透社11月6日独家报道，长江存储计划在武汉建第四座晶圆厂，生产300层以上NAND闪存，主供数据中心与AI存储；国产设备占比目标至少60%、力争70%，高于第三座工厂的五成，折射中国存储产业自主化加速。
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路透社11月6日独家报道，长江存储计划在武汉建第四座晶圆厂，生产300层以上NAND闪存，主供数据中心与AI存储；国产设备占比目标至少60%、力争70%，高于第三座工厂的五成，折射中国存储产业自主化加速。
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