长江存储武汉建第四厂：300层闪存国产设备冲70%

事件：第四座晶圆厂瞄准300层以上NAND

路透社11月6日独家报道，中国最大的闪存芯片制造商长江存储（YMTC）计划在武汉建设第四座晶圆厂，生产公司最先进的NAND闪存，存储单元堆叠层数超过300层。新工厂将主要面向数据中心与人工智能应用的存储需求。报道援引两名知情人士的消息，因未获授权对外发声，两人要求匿名。

按照规划，第四座工厂预计明年（2027年）动工。不过长江存储目前仅与供应商进行了初步接触，尚未下达正式订单，这意味着最终的建设节奏与设备采购方案仍有调整空间。

国产设备占比目标：至少60%，力争70%

此次规划最受关注的数字，是设备国产化率。知情人士称，长江存储希望新工厂至少60%的设备来自中国供应商，并力争把这一比例提高到70%。作为对比，即将于今年晚些时候投产的第三座工厂，国产设备占比仅略高于一半。

这一跃升被视为美国出口管制重塑中国半导体供应链的具体体现。路透社在报道中指出，相关计划的时机与国产化目标均为首次披露。不过，长江存储在光刻、检测等部分先进设备上仍需依赖国外供应商，北方华创、中微公司等国内设备厂商则有望从新一轮采购中受益。

产能版图：五厂规划，产能有望翻倍

第四座工厂是长江存储更大规模扩产计划的一部分。路透社今年4月曾报道，长江存储计划在武汉共建设五座工厂，其中第三、第四、第五座工厂满产后每月各可加工约10万片晶圆，三座工厂全部投产后，公司总产能将比现在翻一番以上。

市场份额方面，援引Omdia数据的路透社报道称，2026年第二季度，长江存储在中国NAND市场的份额已升至38.5%，高于2025年的28%，超过三星成为中国最大的NAND厂商。Counterpoint Research的数据则显示，同一季度长江存储在全球NAND出货量中排名第三，份额为14%。

背景：AI拉动存储需求，行业处在涨价周期

长江存储扩产的底气，来自人工智能带动的存储需求。数据中心与企业级存储已成为闪存厂商最主要的增长引擎：铠侠10月30日发布的财报显示，2026财年上半年（2026年4月至9月）公司营收达4.2471万亿日元、净利润2.1978万亿日元，均创半年度历史新高，净利润同比增长超过37倍；公司同时透露，2027年的产能已基本售罄。

与此同时，SK海力士、铠侠、三星电子刚刚交出的单季财报同样创下纪录，前两者的季度营业利润率高达80%。存储厂商的利润主要来自涨价推动，但市场也开始关注涨价能持续多久：铠侠对2026年第四季度的营业利润指引约为2万亿日元，低于市场预期的约2.35万亿日元，财报公布后公司股价一度重挫近15%。

在技术路线上，NAND厂商正竞相向更高层数推进。据路透社早前报道，三星位于西安的工厂正转向286层产品。长江存储第四座工厂瞄准300层以上，意味着其技术目标已不逊于国际头部厂商在华生产线的水平。

影响与展望：国产化加速，但仍需跨过多道坎

如果第四座工厂如期推进，对中国半导体设备产业链将是直接利好：新建工厂的设备订单将向北方华创、中微公司等本土厂商倾斜，有助于它们在刻蚀、薄膜沉积等环节积累量产经验。对全球NAND市场而言，长江存储产能翻倍的规划，也将加剧与三星、SK海力士、美光、铠侠等厂商的竞争。

不过，规划落地仍面临多重不确定性：首先，供应商接触尚处初步阶段，正式订单未下，设备交付节奏存在变数；其次，光刻与检测等关键设备仍依赖进口，70%的国产化目标能否实现，取决于本土设备厂商的技术突破；最后，存储行业素有周期波动，当前的高利润率建立在涨价基础之上，一旦供需逆转，扩产计划的回报也将受到考验。

总体来看，长江存储第四座工厂的规划，既是中国闪存产业借AI东风扩大产能的一步，也是出口管制倒逼下设备国产化提速的缩影。300层以上的技术目标与70%的国产化雄心能否同时兑现，将是未来两年观察中国存储产业的关键窗口。